삼성 파운드리는 2020년 3nm EUV 공정을 양산합니다.
삼성 파운드리는 2020년 3nm EUV 공정을 양산 합니다.
삼성 파운드리 정은승 부사장 겸 총괄 매니저는 일본에서 열린 삼성 파운드리 포럼 2018을 통해 앞으로 나아갈 로드맵을 공개했습니다.
먼저 2018년에는 EUV를 이용한 7nm 공정과 8nm 로우 파워 플러스의 개량판인 8LPU 생산을 시작하고 2019년에는 5nm 및 5nm FinFET EUV와 18FDS 초기 생산이 이루어지며 2020년에는 3nm EUV GAA 공정의 생산이 시작될 예정이라고 합니다.
정은승 부사장은 7nm 이후의 첨단 프로세스는 EUV, 극자외선에 의한 생산이 실시될 것이며 2019년에도 EUV는 이어진다고 밝혔습니다.
8LPU의 경우 핀의 간격을 조절해 8PP보다 EUV에 최적화된 것이며 2세대에 포함되는 18FDS는 RF 및 eMRAM이 통합된 것이 특징입니다.
7nm에 기반을 둔 5nm 및 4nm 공정은 FinFET 최적화가 이루어질 것이며 4nm 공정은 FinFET이 적용되는 마지막 과정이라고 합니다.
GAA의 경우 2017년 당시 4nm에서 먼저 적용하려고 했으나 FinFET으로도 충분하다고 판단되어 3nm부터 사용하기로 결정했습니다.
가장 먼저 만나볼 수 있는 7nm FinFET EUV의 경우 모바일, 네트워크, 자동차를 포함해 GPU를 포함한 하이 퍼포먼스 컴퓨팅 분야를 위해 제조된다고 전했습니다.
하이 퍼포먼스 컴퓨팅을 위한 GPU를 개발하는 회사는 AMD과 인텔, 엔비디아가 있으며 AMD의 경우 TSMC, 인텔의 경우 자체 파운드리를 사용하는데 원본 게시글에 의하면 엔비디아의 차세대 GPU가 삼성 파운드리의 7nm FinFET EUV를 통해 제조되는 것이 아니냐는 의견을 제시하고 있지만 확인된 내용은 아닙니다.
삼성 파운드리의 EUV 생산 설비인 NXE3400은 경기도 화성 S3 공장에 설치되었으며 웨이퍼의 생산 수는 양산 수준을 넘어섰다고 합니다.
추가로 S3 공장 인근에 EUV 전용 라인을 목적으로 새로운 라인을 건설중이며 2019년 완공, 2020년 양산에 돌입된다고 전했습니다.
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